半導体発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233528
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】従来の光反射多層膜を有する半導体発光ダイオードにおいては、膜数を増加させてもある数以上では反射率が飽和する、あるいは、波長領域によって反射率が低下するという問題点があった。【解決手段】半導体基板上11に、活性層14と、半導体基板11と活性層14との間に配置され活性層14から半導体基板11方向に向かう光を反射させる光反射多層膜12とを少なくとも有する半導体発光ダイオードにおいて、光反射多層膜12が、活性層14のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体材料により形成されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層と、前記半導体基板と前記活性層との間に配置され前記活性層から前記半導体基板方向に向かう光を反射させる光反射多層膜とを少なくとも有する半導体発光ダイオードにおいて、前記光反射多層膜が、前記活性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体材料により形成されてなることを特徴とする半導体発光ダイオード。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-114277
特開平4-328877
特開平4-361572

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審査官引用 (9件)

特開平3-114277
特開平4-328877
特開平4-361572

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