特許
J-GLOBAL ID：200903005925005670
半導体慣性センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178181
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの貼り合わせやレーザ加工が不要で大量生産に適する、低コストの半導体慣性センサを得る。また寄生容量が低く、高感度で高精度な半導体慣性センサを得る。【解決手段】 凹部11が形成されたガラス基板10に、酸化膜又は窒化シリコン膜21上に単結晶シリコンからなる可動電極26と固定電極27,28が形成された構造体20aを可動電極26が凹部11に対向するように接合した後、膜21をエッチング除去することにより半導体慣性センサ30を得る。
請求項（抜粋）：
ガラス基板(10)に凹部(11)を形成する工程と、シリコンウェーハ(20)の片面にシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(21)を形成する工程と、前記シリコンウェーハ(20)の前記膜(21)のない別の片面から、前記膜(21)をエッチストップ層としてエッチングすることにより、前記膜(21)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)と前記可動電極(26)の両側に単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)を形成する工程と、前記膜(21)上に前記可動電極(26)と一対の固定電極(27,28)が形成された構造体(20a)を前記可動電極(26)が前記凹部(11)に対向するように前記ガラス基板(10)に接合する工程と、前記膜(21)をエッチングして除去することにより前記一対の固定電極(27,28)に挟まれて設けられた可動電極(26)を有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01C 19/56
, G01L 1/14
, G01P 9/04
, G01P 15/125
H01L 29/84 B
, G01C 19/56
, G01L 1/14 A
, G01P 9/04
, G01P 15/125
