特許
J-GLOBAL ID：200903005926236838
GaAs単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280741
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339091
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：
【要約】【目的】直接合成法によりGaAs単結晶を得る際にアンプル内の酸素や水分を、種結晶の分解やアンプル内壁のくもりがなく効率よく除去する。【構成】アンプル1内を排気しながら全体を電気炉8中に入れ200°Cで1.5時間加熱後、電気炉8を外しアンプル1内壁と拡散バリア7を密着させ、再び電気炉8中にアンプル1を入れ、As4部を200°C、Ga3部を550°Cで1.5時間加熱しつつ真空に封止する。
請求項（抜粋）：
ボート法によるGaAs単結晶の製造方法において、反応管内を排気しながら反応管の排気口と反対側に配置されたAs部を100°C〜250°Cに加熱保持し、反応管の排気口側に配置されボートに収容されたGa部を400°C〜550°Cに加熱保持し、排気口から真空排気しつつ排気口を封止し、その後前記反応管を結晶製造炉内において加熱しボート内でGaとAsの融液を合成せしめ、次いで種結晶側から徐々に冷却することを特徴とするGaAs単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 11/00
, C30B 29/40 501
