半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274242
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】上層の配線層のためにバリア層成膜する前の半導体基板のクリーニング処理により発生する銅金属の汚染を防止し、かつ製造工程の工程数を削減する。【解決の手段】導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したNF3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、この第1の導電層に接して形成されたシリコン窒化膜とを含む半導体基板に対して、上記第1の導電層の所定部分の上の上記シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したNF3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して上記第1の導電層の所定部分を露出させる工程と、この工程に引続き、上記第1の導電層の露出した所定部分の上にこれに電気的に接続する上層の第2の導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/318 M , H01L 21/90 A , H01L 21/302 N , H01L 21/90 C

Fターム (78件)：

4M104AA01 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH15 , 5F004AA09 , 5F004AA14 , 5F004DA17 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK04 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK28 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT08 , 5F033XX09 , 5F033XX33 , 5F058AA10 , 5F058AB05 , 5F058AD11 , 5F058AG07 , 5F058AH05 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BD01 , 5F058BD09 , 5F058BE03 , 5F058BF22 , 5F058BF46 , 5F058BH16 , 5F058BJ02 , 5F058BJ05

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174199 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-165353 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-066492 出願人：株式会社日立製作所

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