半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135127
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326489
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】システム電源電圧などの動作環境が変化しても正確なタイミングで信号を出力することのできる入出力回路を提供する。【解決手段】内部信号出力ノード(E)に内部信号(INT)を出力するレベル変換段最終段において、択一的に導通状態とされるMOSトランジスタ(20d,20f)を電流源トランジスタとして設ける。これらの追加のMOSトランジスタ(20d,20f)をたとえばボンディングパッド(22)の電圧レベルにより選択的に導通状態とする。内部ノード(E)への充放電電流量を調整することができ、応じて内部信号(INT)の立上がり時間および立下がり時間を常に等しくすることができる。

請求項（抜粋）：

与えられた信号に所定の処理を行なって前記与えられた信号に対応する信号をノード上に出力する信号処理回路、および前記信号処理回路に結合され、前記ノード上の信号の電位変化速度をプログラマブルに調整するための調整回路を備える、半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

G11C 11/409 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , H03K 19/0185

FI (4件)：

G11C 11/34 354 P , G11C 11/34 J , G11C 11/34 362 S , H03K 19/00 101 B

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