特許

J-GLOBAL ID：200903005933513251

電子吸収光学変調器

発明者： ジョージ・ホーラス・ブルック・トンプソン ,  イガァー・カジェタン・ツァイコースキー ,  マーク・アクトン・ギボン
出願人/特許権者： ノーザン・テレコム・リミテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216309
公開番号（公開出願番号）：特開平7-175025
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ホール消滅時間を非常に短縮した電気吸収光学変調器を提供することを目的とする。【構成】 第1の構成材料の基体30と、この基体に支持され第2の構成材料の複数の量子ウェル層を具備する多重量子ウェル構造33を含んだp-i-n構造を限定するエピタキシャル成長層とを有する電気吸収光学変調器において、量子ウェル層が第3の構成材料35のバリア層に挟まれ、バリア層35が隣接する量子ウェル層34の間の実質上バンド構造の相互作用を阻止するのに十分な厚さであり、第3の構造材料が第1の構造材料の歪みのない格子定数より小さい格子定数を有し、バリア層が引張り歪みを受けるように構成されていることを特徴とする。1例では基体30はInPで、また量子ウェル層34はIn1-x Gax Asy P1-y で形成される。

請求項（抜粋）：

第1の構成材料の基体と、この基体に支持され第2の構成材料の複数の量子ウェル層を具備する多重量子ウェル構造を含んだp-i-n構造を限定するエピタキシャル成長層とを有する電気吸収光学変調器において、量子ウェル層が第3の構成材料のバリア層に挟まれ、バリア層が隣接する量子ウェル層の間の実質上バンド構造の相互作用を阻止するのに十分な厚さであり、第3の構造材料が第1の構造材料の歪みのない格子定数より小さい格子定数を有し、バリア層が引張り歪みを受けるように構成されていることを特徴とする電気吸収光学変調器。