特許

J-GLOBAL ID：200903005935712294

MOS型トランジスタおよびこれを利用した集積回路、ならびにMOS型トランジスタの製造方法

発明者： 大間知 靖久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132488
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 静電耐圧が高く、集積回路の内部素子部に悪影響を与えないI/O部にMOSFETを提供する。【構成】 MOSFET30は、IC20のI/O部23に使用される。このMOSFET30において、ゲート36のドレイン領域34側端部の下方における予め定める領域のゲート酸化膜35cを、他の領域のゲート酸化膜35よりも厚く設ける。他の領域のゲート酸化膜35よりも厚く設けたゲート酸化膜35cで、ドレイン領域34のソース領域33側端部における予め定める領域を完全に覆う。

請求項（抜粋）：

LDDMOS型トランジスタが内部素子部に使用されている集積回路において、内部素子部との入出力を行う入出力部に使用されるものであって、チャネル領域、ならびにチャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、半導体基板のチャネル領域上に、ソース領域およびドレイン領域を橋渡す状態で、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲートとを備え、上記チャネル領域の長さは、内部素子部のLDDMOSFETのチャネル長よりも長く設けられており、上記ゲートの少なくともドレイン領域側端部の下方における予め定める領域のゲート絶縁膜は、ドレイン領域のソース領域側端部における予め定める領域を完全に覆うように、他の領域のゲート絶縁膜よりも厚く設けられていることを特徴とするMOS型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 27/088 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-138756
  
• 特開平3-181175
  
• 特開昭51-027074
  
• 特開昭52-015273