特許
J-GLOBAL ID：200903005936436266

閃亜鉛鉱型CrSb、閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造

発明者：
大野 英男

大野 英男 について

, 
松倉 文▲礼▼

松倉 文▲礼▼ について


出願人/特許権者：
東北大学長

東北大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181035
公開番号（公開出願番号）：特開2003-089600
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 室温で強磁性を示すCrSbを提供するとともに、その製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に、MBE法によりGaAs下地層を形成する。次いで、このGaAs下地層上に、CrSbをMBE法によりエピタキシャル成長させて、閃亜鉛鉱型のCrSbを作製する。
請求項（抜粋）：
室温で閃亜鉛鉱型の結晶構造を有することを特徴とする、CrSb。
IPC (5件)：
C30B 29/52 ,  C30B 23/08 ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/363
FI (5件)：
C30B 29/52 ,  C30B 23/08 M ,  H01F 10/12 ,  H01F 41/20 ,  H01L 21/363
Fターム (19件)：
4G077AA03 ,  4G077AB05 ,  4G077BA07 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077SC02 ,  5E049AA10 ,  5E049AC03 ,  5E049BA30 ,  5E049FC10 ,  5E049HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD27 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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