特許

J-GLOBAL ID：200903005939945994

導電膜付き基体およびその製造方法

発明者： 光井 彰
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170430
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】成膜後の加熱処理や膜表面の研磨などの複雑な製造工程が不要な、表面に凹凸が少ない導電膜付き基体およびその製造方法の提供。【解決手段】基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜が1nm以上150nm以下の膜厚で形成され、該下地膜上に、インジウムと錫との酸化物を主成分とする導電膜が形成され、前記導電膜表面の平均表面粗さRaが3.0nm以下であることを特徴とする導電膜付き基体、および、その製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜が1nm以上150nm以下の膜厚で形成され、該下地膜上に、インジウムと錫との酸化物を主成分とする導電膜が形成され、前記導電膜表面の平均表面粗さRaが3.0nm以下であることを特徴とする導電膜付き基体。

IPC (7件)：

H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C03C 17/34 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503

FI (7件)：

H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C03C 17/34 Z ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (40件)：

2H090HA04 ,  2H090HB02X ,  2H090HC01 ,  2H090HC03 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H092HA04 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA16 ,  2H092NA19 ,  4F100AA17C ,  4F100AA20 ,  4F100AA27B ,  4F100AA33C ,  4F100AG00 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01C ,  4F100JK15 ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4G059AA08 ,  4G059AB11 ,  4G059AC12 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電性積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-144996   出願人：三菱化学株式会社