特許
J-GLOBAL ID：200903005940202717
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124450
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307387
出願日： 1994年05月15日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 ヒューズ素子の残膜がヒューズ素子本体に残留することを防止し外観的にも電気的にもヒューズ素子切断が行える半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子間を電気的に接続する半導体基板上の配線に電気的に接続されたヒューズ素子1は前記ヒューズ素子の少なくとも切断部の両側近傍に間隔をおいて配置され、このヒューズ素子と同じ材料からなるダミーヒューズ素子15を備えている。そしてこのダミーヒューズ素子15はヒューズ素子1と同じ平面上に形成されている。ヒューズ素子1に対して半導体基板に形成された絶縁膜のヒューズ窓2からレーザビームを当ててこれを溶断する。ヒューズ素子1の切断部の両側面に少なくとも一つずつダミーヒューズを設けることにより溶断によってダミーヒューズ膜15の幅の分だけ幅広の溝ができるので溶断されたヒューズ素子1の残膜は溝や凹部もしくはダミーヒューズ素子に付着して電気的な切断が確実に行える。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記複数の半導体素子間を電気的に接続する配線と、前記半導体基板上に形成され、前記配線に電気的に接続され、かつ、この配線が電気的に接続している半導体素子間に挿入されたヒューズ素子と、前記ヒューズ素子の少なくとも切断部の両側近傍に間隔をおいて配置され、このヒューズ素子と同じ材料からなるダミーヒューズ素子とを備え、前記ダミーヒューズ素子は、前記ヒューズ素子と同じ平面上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 27/10 431
