特許
J-GLOBAL ID：200903005950113577
半導体製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164392
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017736
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 被処理物上の処理部における膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上させる半導体製造方法および装置を提供する。【構成】 半導体ウェハ2へのCVD処理が行われる反応室4を形成するカバー部材5と、半導体ウェハ2を保持するサセプタ6と、半導体ウェハ2と対向して設置されたガス吐出口7を介して反応ガス3を供給するガス供給部と、ガス吐出口7の外周部7aに設置された排気口9を備える排気系10と、排気口9と連通しかつ排気口9の4つの角部9aに設置された4つの排気配管11および排気系10の中央付近10aに設置された1つの排気配管11とからなり、反応ガス3を複数個の排気配管11を通して排気する際に、各々の排気配管11に設けられた流量調節手段によって、排気配管11を通る反応ガス3の流量を各々の排気配管11ごとに調節する。
請求項（抜粋）：
反応ガスを用いて被処理物に成膜などの処理を行う半導体製造方法であって、前記被処理物と対向して設置されたガス吐出口から前記反応ガスを供給し、前記反応ガスによって前記被処理物に処理を行い、前記ガス吐出口の外周部に設置された排気口を介して前記反応ガスを排気系に導き、前記排気口と連通し、かつ前記排気口の角部および前記排気系の中央付近に設置された複数個の排気通路を通して前記反応ガスを排気することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
