特許

J-GLOBAL ID：200903005950973274

半導体装置の製造方法

発明者： 松井 裕一 ,  三木 浩史 ,  平山 美鈴 ,  中田 昌之 ,  中村 吉孝 ,  伊澤 勝 ,  大路 譲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101474
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312365
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】比誘電率の低下をもたらすことなく、表面凹凸の大きい材料の下部電極上にも絶縁膜を均一に堆積することができ、低いリーク電流特性を示す絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、化学的気相成長(CVD)法によって金属膜上に絶縁膜を堆積・形成する半導体装置の製造工程において、金属膜中にあらかじめ他元素を添加しておき、上記絶縁膜堆積中に上記他元素を絶縁膜表面まで拡散させることによって CVD 原料の吸着確率を低減させ、絶縁膜の被覆性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長(CVD)法によって金属膜上に絶縁膜を堆積・形成する半導体装置の製造工程において、金属膜中にあらかじめ他元素を添加しておき、上記絶縁膜堆積中に上記他元素を絶縁膜表面まで拡散させることによって CVD 原料の吸着確率を低減させ、絶縁膜の被覆性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J