特許
J-GLOBAL ID：200903005952945588
青色分布帰還型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002537
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191153
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 AlGaN-InGaNの半導体の組み合せを用いて青色波長帯のレーザ光を発光させることが知られているが、この材料はミラー面を形成しにくく、また成膜時に結晶欠陥が生じやすい。【解決手段】 クラッド層13と15をAlGaNの半導体材料により形成し、活性層14をInGaNの半導体材料で形成している。発光時の共振を行なわせる回折格子となる凹部20を、上部の絶縁層17、コンタクト層16およびクラッド層15にかけて後加工している。したがって、クラッド層15と活性層14を前記半導体材料により結晶成長させる際、フラットな層を形成すればよいため、結晶欠陥が生じにくく、またこの分布帰還型ではミラー面が不要である。また凹部20は後加工により形成できるため、周期や深さを高精度に設定でき、縦単一モードの青色波長帯のレーザ光を充分な強度で発光させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、コンタクト層、電極が積層され、前記コンタクト層から上部クラッド層にかけて規則的な凹部が形成されており、前記クラッド層を形成する半導体材料がAlGaNで、前記活性層を形成する半導体材料がInGaNであることを特徴とする青色分布帰還型半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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