特許

J-GLOBAL ID：200903005954494460

試料のドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者： 大本 豊 ,  福山 良次 ,  薬師寺 守
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040771
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253516
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】デュアルダマシンで用いられる低誘電率膜の安定加工方法を提供する。【解決の手段】ウエハ表面での反射干渉光を信号処理してプロセスレシピを制御し、エッチング途中でのウエハ表面の荒れの増加を抑制しながらエッチングを進めていく。すなわち、真空処理室内においてプラズマを生成して試料を処理する手段と、処理される前記試料の反射干渉光をモニタするモニタ手段とを備えたドライエッチング装置におけるドライエッチング方法であって、処理される前記試料の表面での反射干渉光スペクトルを検出するステップと、該反射干渉光スペクトルの、ウエハ表面の膜の反射モデルで予測される理論値に対するカーブフィッティング残差を求めるステップと、該カーブフィッティング残差が所定の範囲にあるか否かを判定するステップ、とを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

真空処理室内においてプラズマを生成して試料を処理する手段と、処理される前記試料の反射干渉光をモニタするモニタ手段とを備えたドライエッチング装置におけるドライエッチング方法であって、 処理される前記試料の表面での反射干渉光スペクトルを検出するステップと、該反射干渉光スペクトルの、試料表面の膜の反射モデルで予測される理論値に対するカーブフィッティング残差を求めるステップと、 該カーブフィッティング残差が所定の範囲にあるか否かを判定するステップ、とを含む、試料のドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 103

Fターム (9件)：

5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004CB09