シリコンに高アスペクト比のトレンチを形成するための新規なエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-524816
公開番号（公開出願番号）：特表2001-526462
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】酸化シリコンおよび/または窒化シリコンのハードマスクを有するシリコンに高アスペクト比のトレンチを形成するための複数のステップからなるエッチングプロセスに関する。第1のステップでは、HBrと酸素からなるエッチング組成が用いられ、トレンチの側壁上にパッシベーション層を堆積し、僅かにテーパ状になった開口を発生する。第2のステップでは、SF6、HBrおよび酸素などのフッ素含有ガスが用いられて、高アスペクト比のより垂直な開口を発生する。第2のステップ中、開口のテーパ形状は、用いるHBrもしくはSF6の相対量を調整することによって制御できる。このプロセスにより、エッチングステップ毎にエッチングチャンバの洗浄を行う必要がないクリーンなプロセスとなる。

請求項（抜粋）：

プラズマ真空チャンバに接続された第1のRF電力源と、基板の支持体に接続された第2のRF電力源を有するプラズマ真空チャンバにおいて、酸化シリコンハードマスクを用いてシリコンに底部が丸い形状をした深く高アスペクト比の開口をエッチングする方法であって、 a)HBrと酸素を含む混合物を用いてエッチングし、側壁上にパッシベーション層を堆積して僅かにテーパ状の開口を形成するステップと、 b)フッ素含有ガス、HBrおよび酸素の混合物を用いてエッチングし、高アスペクト比の開口を形成するステップとの2つの連続したステップからなることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 M , H01L 27/10 625 Z

Fターム (17件)：

5F004AA03 , 5F004AA05 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EB05 , 5F083AD15 , 5F083PR03

前のページに戻る