特許

J-GLOBAL ID：200903005957591679

真空蒸着における膜厚制御方法

発明者： 高井 充 ,  小林 康二 ,  山中 俊一 ,  大塚 俊幸 ,  比護 政志
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201869
公開番号（公開出願番号）：特開平6-025849
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】 真空蒸着における膜厚を一定に制御すること。【構成】 るつぼに収容した金属または合金を電子ビームで溶融させ、一定速度で供給されている基体フィルムに、前記溶融した金属または合金から蒸発した金属蒸気を蒸着させ、得られた蒸着金属の厚さtを間欠的または連続的に測定し、その値を設定厚さt0 と比較して誤差Δt=t-t0 を算出し、その値をフィードバック率50%以下で負帰還して電子ビームのエネルギーを制御し目標範囲に蒸着膜厚を規制することを特徴とする、真空蒸着における膜厚制御方法。

請求項（抜粋）：

るつぼに収容した金属または合金を電子ビームで溶融させ、一定速度で供給されている基体フィルムに、前記溶融した金属または合金から蒸発した金属蒸気を蒸着させ、得られた蒸着金属の厚さtを間欠的または連続的に測定し、その値を設定厚さt0 と比較して誤差Δt=t-t0 を算出し、その値をフィードバック率50%以下で負帰還して電子ビームのエネルギーを制御し目標範囲に蒸着膜厚を規制することを特徴とする、真空蒸着における膜厚制御方法。