特許

J-GLOBAL ID：200903005958535705

面発光装置

発明者： 岸本 克彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-252078
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087570
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】光の利用効率を向上させることのできる面発光装置を提供する。【解決手段】この面発光装置は、発光層を含む積層構造を有する端面発光型の半導体レーザ素子101と、半導体レーザ素子101の光出射面に端面2cが対向して配置された導光板2とを備える。また、導光板2における端面2cに沿った断面形状が長軸を有し、半導体レーザ素子101は、積層構造の積層方向が上記長軸に沿うように配置されている。この構成によれば、半導体レーザ素子101から出射されたレーザ光130が帯状に広がる光の長手方向を、導光板2の断面形状の長手方向に揃えることができる。よって、帯状に広がるレーザ光130のほぼ全てを、導光板2の端面2cに入射させることができるので、光の利用効率を向上させ、光度を向上させた面発光装置を得ることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

発光層を含む積層構造を有する端面発光型の半導体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子の光出射面に受光端面が対向して配置された導光部材とを備え、 前記導光部材における前記受光端面に沿う方向の断面が長手方向を有し、 前記半導体レーザ素子は、前記積層構造の積層方向が前記長手方向に沿うように配置されている、面発光装置。

IPC (3件)：

F21V 8/00 ,  G02F 1/133 ,  H01S 5/022

FI (6件)：

F21V8/00 601D ,  F21V8/00 601Z ,  F21V8/00 601E ,  F21V8/00 601A ,  G02F1/13357 ,  H01S5/022

Fターム (18件)：

2H091FA14Z ,  2H091FA23Z ,  2H091FA43Z ,  2H091FA46Z ,  2H091LA16 ,  2H191FA31Z ,  2H191FA71Z ,  2H191FA83Z ,  2H191FA86Z ,  2H191LA21 ,  5F173MA10 ,  5F173MB01 ,  5F173MC15 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173MF10 ,  5F173MF12 ,  5F173MF22

引用特許：

出願人引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-117288   出願人：ハリソン東芝ライティング株式会社