特許
J-GLOBAL ID：200903005962001391
光検出器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296047
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131057
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 応答速度や検出感度に優れた電界効果型光検出器を提供する。【構成】 基板10上にφ-AlGaAsバッファ層11、φ-GaAs層を積層し、ゲート電極15の下にφ領域12を残し他はn型GaAs層13にする。n-GaAs層13上にソース電極14、ドレイン電極16、ゲート電極15を設け電界を適当に印加すると、空乏層19はn-GaAs層13とφ-GaAs12の界面まで延びドレイン電流は流れなくなる。素子上面から光18をゲート・ドレイン間に照射すると、吸収層13で吸収され電子-正孔対が発生する。電子はドレイン電極16からはき出され正孔はゲート電極15及びφ-GaAs12に流れ込み、n領域13及びφ領域12のポテンシャルの変化でチャネル電流が流れて光電流が増幅される。
請求項（抜粋）：
電界効果型光検出器において、ゲート電極下のn型吸収層の厚みが該ゲート電極下以外のn型吸収層の厚みより薄く形成され、該厚みの差を生じさせる領域が該ゲート電極下で且つ該吸収層の下層に接する場所に位置し、ノンドープで且つ該n型吸収層と同じ材料で構成されたことを特徴とする電界効果型光検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 E
, H01L 29/80 Z
