特許

J-GLOBAL ID：200903005963350411

強誘電体薄膜素子

発明者： 長尾 宣明 ,  竹内 孝之 ,  飯島 賢二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327954
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186182
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 赤外線検出素子、電気光学効果素子、不揮発性メモリ、圧電素子などの薄膜素子に使用される強誘電体薄膜において、膜厚方向の組成の分布を制御することにより、分極処理を必要としない小型で優れた特性を持つ強誘電体薄膜素子を実現することを目的とする。【構成】 (100)でへき開し鏡面研磨したMgO単結晶基板上1に白金下部電極2を形成し、前記白金下部電極2上にABO3型ペロブスカイト構造を有する強誘電体薄膜3を積層し、前記強誘電体薄膜3上に白金上部電極4を積層した強誘電体薄膜素子において、前記強誘電体薄膜3として組成が膜厚方向に変化している構造を有する強誘電体薄膜を設けることにより分極処理を行わなくても素子を作製した段階で既に分極を持ち、大きな焦電係数を示す優れた強誘電体薄膜素子が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された第2の電極とを少なくとも有する強誘電体薄膜素子において、前記強誘電体薄膜が、その組成比が膜厚方向に傾斜してなる構造を有することを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (11件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/18 101 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174116   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149525   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240908   出願人：セイコーエプソン株式会社