特許
J-GLOBAL ID：200903005968122883
重合体の光導波管素子と共に半導体素子を集積する方法およびそのようにして得られる集積構造を有する電気光学デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073782
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007148
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子を重合体の光導波管素子と共に集積する方法およびそのようにして得られる集積構造を有する電気光学デバイスを提供する。【構成】 エピタキシャル リフトオフ(ELO) 法によって得られた半導体素子を、重合体の光導波管構造に加えて適当なキャビティを有する導波管デバイスに埋め込むことにより、半導体素子を重合体の光導波管素子と共に集積して電気光学デバイスを作る方法およびかくして得られる電気光学デバイス。
請求項（抜粋）：
重合体の光導波管素子と共に半導体素子を集積することを含む電気光学デバイスを作る方法において、エピタキシャル リフトオフ(ELO)によって得られた半導体素子が、重合体の光導波管構造に加えて適当なキャビティを有する導波管デバイスに埋め込まれることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, G02B 6/122
, H01L 33/00
