特許
J-GLOBAL ID:200903005977916906
フォトマスク・ブランク、フォトマスク、フォトマスク・ブランクを製造するための方法と装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (12件):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 藤野 育男
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 高梨 憲通
, 朝日 伸光
, 高橋 誠一郎
, 吉澤 弘司
, 松井 孝夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-036249
公開番号(公開出願番号):特開2004-246366
出願日: 2004年02月13日
公開日(公表日): 2004年09月02日
要約:
【課題】 本発明はフォトマスク・ブランク、フォトマスク、概してフォトマスク・ブランクの作製、および特に粒子ビーム・スパッタリングによるフォトマスク・ブランクの作製のための方法と装置に関する。 微小構造を有するフォトマスクの作製に適した高品質と高安定性のフォトマスク・ブランクを作製する方法を提供することが本発明の目的である。【解決手段】 真空チャンバ内に基板とターゲットが供給され、第1の粒子もしくはイオンのビームで照射することによって前記ターゲットがスパッタされ、前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第1の材料の少なくとも第1の層が蒸着される、フォトマスク・ブランクの製造方法を提案する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
フォトマスク・ブランク、特にバイナリ・フォトマスク・ブランク、位相シフト・フォトマスク・ブランクまたは極紫外フォトマスク・ブランクを製造するための方法であって、
真空チャンバ内に基板とターゲットを供給する工程、
第1の粒子ビームを供給する工程、
前記第1の粒子ビームで照射することによって前記ターゲットをスパッタリングする工程、
前記ターゲットの前記スパッタリングによって前記基板上に第1の材料の少なくとも第1の層を蒸着する工程を含む方法。
IPC (3件):
G03F1/08
, C23C14/46
, H01L21/027
FI (3件):
G03F1/08 L
, C23C14/46
, H01L21/30 531M
Fターム (18件):
2H095BA07
, 2H095BA08
, 2H095BB03
, 2H095BC08
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA07
, 4K029BA11
, 4K029BA35
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA08
, 4K029DC37
, 4K029EA02
, 5F046GD10
, 5F046GD16
引用特許:
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