特許
J-GLOBAL ID:200903005990001186

電界効果トランジスター及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-321465
公開番号(公開出願番号):特開平5-136415
出願日: 1991年11月11日
公開日(公表日): 1993年06月01日
要約:
【要約】【目的】 チャネル領域がソース/ドレイン領域よりも薄く且つ単結晶半導体膜である電界効果トランジスターを作製する。【構成】 絶縁物基体もしくは絶縁層に形成された凹部104,105内に成長し、平坦化された単結晶半導体膜110に形成される電界効果トランジスターであって、ソース領域及びドレイン領域の膜厚をチャネル領域の膜厚より厚くした電界効果トランジスター及びその製造方法。
請求項(抜粋):
絶縁物基体もしくは絶縁層に形成された凹部内に成長し、平坦化された単結晶半導体膜に形成される電界効果トランジスターであって、ソース領域及びドレイン領域の膜厚をチャネル領域の膜厚より厚くした電界効果トランジスター。
IPC (3件):
H01L 29/784 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/84

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