特許

J-GLOBAL ID：200903005995359593

光結合半導体装置

発明者： 荒木 俊雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030143
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 光結合半導体装置の発光・受光素子間の静電カップリングによる出力信号の変動および誤動作を低減し、受光素子の受光電流を増加させることを目的とする。【構成】 受光素子のフォトダイオード部の断面上層にp+拡散層またはn+拡散層を形成し、その拡散層を電磁シールドとして、受光回路の中で、その電磁シールドがグランドまたは電源電圧端子に直結する。さらに上記拡散層を追加することによって新たに形成されたフォトダイオードをできるだけ並列接続することによって、フォトダイオード部の受光電流を増加させる。

請求項（抜粋）：

発光素子と受光素子とを相対向して配置する1パッケージ封止の光結合半導体装置において、前記受光素子は光を受けて光電流を生成するフォトダイオード有しており、前記フォトダイオードは、P基板上にn+拡散層を埋め込み、前記基板上にエピタキシャル層を成長させ、前記エピタキシャル層にp+型拡散層を有する、あるいは、前記エピタキシャル層にp+型拡散層およびn+型拡散層を備えていることを特徴とする光結合半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/12

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-009655
  
• 特開平3-203382
  
• 特開平4-258178