特許
J-GLOBAL ID：200903006007621993
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219355
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 酸発生剤から発生した酸の失活を阻止して、良好な形状のレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 予め形成したレジストパターンの形状が基準のパターン形状に比べてTトップ傾向にあるときにはレジストパターンの膜減り量が増加する一方、予め形成したレジストパターンの形状が基準のパターン形状に比べて肩落ち傾向にあるときにはレジストパターンの膜減り量が減少するように、レジストの組成を決定する。組成が決定されたレジストを半導体基板11の上に塗布してレジスト膜12を形成した後、該レジスト膜12に対してマスク13を介して露光14を行なう。露光されたレジスト膜12を現像してレジストパターン16を形成する。
請求項（抜粋）：
レジストパターンの形状が基準のパターン形状に比べてTトップ傾向にあるときにはレジストパターンの膜減り量が増加する一方、レジストパターンの形状が基準のパターン形状に比べて肩落ち傾向にあるときにはレジストパターンの膜減り量が減少するように、レジストの組成を決定する第1の工程と、組成が決定された前記レジストを基板上に塗布してレジスト膜を形成する第2の工程と、前記レジスト膜に対してマスクを介して露光を行なう第3の工程と、露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する第4の工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, C23F 1/00 102
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 501
H01L 21/30 569 A
, C23F 1/00 102
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 501
, H01L 21/30 502 G
, H01L 21/30 502 R
