特許
J-GLOBAL ID：200903006008996303
不揮発性メモリ装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097457
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】製造工程をより短縮、簡素化できる不揮発性の半導体メモリ装置とその製造方法の提供。【構成】周辺回路領域のトランジスタのゲート構造を、メモリセルアレイ領域のストレージセルトランジスタのゲート構造と同様のフローティングゲート電極204及びコントロールゲート電極208をもつ構造とし、ストレージセルトランジスタ形成の写真食刻工程で同時に両領域のトランジスタを形成できるようにする。このとき、周辺回路領域のトランジスタのフローティングゲート電極とコントロールゲート電極との間の層間絶縁膜にコンタクトホールを設けておき、該フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を電気的に接続させ、一つのゲート電極として動作するようにしている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された素子間分離のためのフィールド酸化膜と、半導体基板上面に形成されたトンネル酸化膜と、該トンネル酸化膜上面に形成されたフローティングゲート電極と、該フローティングゲート電極の上面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上面に形成されたコントロールゲート電極とを有してなるストレージセルトランジスタをセルアレイ領域に備えた半導体メモリ装置において、フィールド酸化膜によって前記セルアレイ領域と分離された周辺回路領域の半導体基板上面に形成されるゲート酸化膜と、このゲート酸化膜の上面に形成されるフローティングゲート電極と、このフローティングゲート電極の上面に形成される層間絶縁膜と、この層間絶縁膜の上面に形成されると共に下層のフローティングゲート電極と所定の部位で相互に接続されるコントロールゲート電極とを有してなり、相互に接続されたフローティングゲート電極及びコントロールゲート電極が単一のゲート電極として動作するようにされたトランジスタを周辺回路領域に備えていることを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
