特許

J-GLOBAL ID：200903006010946259

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 李 典洪 ,  北 明夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279629
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135313
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 浅接合でのサリサイドの形成を可能とし、FETの駆動力が寄生抵抗に影響されない電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 電界効果トランジスタの製造方法において、LOCOS法により素子分離が行われたp型シリコン基板1のpウェル2にn型イオン注入を行い、活性化アニールによって、LDD(n- )層3を形成する工程と、Tiのスパッタを行いアニールすることによりTiシリサイド膜4を形成する工程と、チャネルの部位の金属シリサイド膜4をエッチングし、更に、その下部のLDD(n-)層3の接合深さだけ、LDD(n- )層3をエッチングする工程と、ゲート酸化膜5を形成する工程と、厚い多結晶シリコン膜6を生成し、ゲートパターニングの後に、n型イオン注入を行い、n型のソース・ドレイン領域7を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

(a)基板のアクティブ領域に形成されるn型のLDD(n- )層及びソース・ドレイン領域と、(b)該n型のLDD(n- )層及びソース・ドレイン領域上に形成される金属シリサイド膜と、(c)ゲート酸化膜及び多結晶シリコン膜からなるゲート電極とを具備する電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 V