特許

J-GLOBAL ID：200903006011663234

気相エピタキシャル成長方法

発明者： 目黒 健 ,  坂口 春典
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014458
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235494
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】原子状水素を反応管内に導入することによって、高純度のエピタキシャル層を成長させることを可能とする。【構成】タングステン等の高融点フィラメントを用いた水素クラッキングセル10をMOVPE装置の反応管1に付設する。水素クラッキングセル10で発生した原子状の水素を水素導入管11を通して反応管1内に原料ガスとは別個に導入させる。導入された原子状水素は、基板2に到達した有機金属化合物の金属と有機基との結合を切り、エピタキシャル層に取り込まれる炭素を効果的に抑止する。

請求項（抜粋）：

反応管内に設置した結晶成長用基板を加熱し、反応管内にIII 族原料ガスとV族原料ガスを供給して結晶成長用基板上に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる気相エピタキシャル成長方法において、前記反応管内に活性化した原子状水素を前記原料ガスとは別に供給するようにしたことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。