特許
J-GLOBAL ID：200903006013353631
半導体光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123675
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316584
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】逆メサストライプ構造を有する場合でも、断切れを起こすことなく、簡便かつ確実に電極を形成することができ、しかも電極形成によっても寄生容量が増加せず、高周波特性を向上する。【構成】半導体光素子はその表面に、導波方向24に垂直な断面が逆メサ形状を有するストライプ部22を有する。ストライプ部22の側面の途中に、導波方向24に平行な断面が順メサ形状を有する突起部17が延長して形成される。その突起部17の順メサ形状の側面17aを利用してストライプ部22上のp側オーミック電極19aと、一段低くなった周辺部23に形成された周辺電極19bとの接続を図る。
請求項（抜粋）：
活性なる光導波路構造の表面に、導波方向に垂直な断面が逆メサ形状を有するストライプ部が形成された半導体光素子において、上記逆メサ形状を有するストライプ部の側面に、導波方向に平行な断面が順メサ形状を有する突起部を連続して設け、上記ストライプ部上に設けた電極部と、上記ストライプ部より一段低い光導波路構造の表面に設けた電極部とを、上記順メサ形状を有する突起部の側面を利用して接続したことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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