特許

J-GLOBAL ID：200903006013394567

多層セラミック基板及びその製造方法

発明者： 渋谷 仁
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273455
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 積層ずれ補償用ランドの径を層ごとに変化させて形成し、これを圧着することにより、圧力抜け及び内部配線層であるAgマイグレーションの発生による短絡のない信頼性の高い上下連続接続用ビアを有する多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。【構成】 多層セラミック基板において、セラミックグリーンシート21に形成される上下連続接続用ビア28と、この上下連続接続用ビア28に接続され、セラミックグリーンシート21の層間で径の異なる上下連続接続用ビア28の積層ずれ補償用ランド31,32,33と、これらの積層ずれ補償用ランド31,32,33の周辺から一定の間隔を有して内部配線層29a,29bを配置する。

請求項（抜粋）：

(a)グリーンシートに形成される上下連続接続用ビアと、(b)該上下連続接続用ビアに接続され、グリーンシートの層間で径の異なる上下連続接続用ビアの積層ずれ補償用ランドと、(c)該積層ずれ補償用ランドの周辺から一定の間隔を有して内部配線層を配置してなる多層セラミック基板。