特許
J-GLOBAL ID:200903006014534419
反射型及び半透過反射型液晶装置並びに電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2000007770
公開番号(公開出願番号):WO2001-033290
出願日: 2000年11月02日
公開日(公表日): 2001年05月10日
要約:
【要約】反射型液晶装置は、第1基板(10)上の液晶に面する側に、反射電極(14)を備える一方、第2基板(20)上の液晶と反対側に、第1位相差板(106)、第2位相差板(116)及び偏光板(105)を備える。液晶のツイスト角及びΔndは夫々、230〜260度及び0.70〜0.85μmである。第1位相差板のΔndは、150±50nmであり、第2位相差板のΔndは、610±60nmである。偏光板の透過軸又は吸収軸と第2位相差板の光軸とのなす角度は、10〜35度であり、第1位相差板の光軸と第2位相差板の光軸とのなす角度は、30〜60度である。これにより、明るく高コントラストの画像表示が可能となる。
請求項(抜粋):
第1基板と、 該第1基板に対向配置された透明の第2基板と、 前記第1及び第2基板間に挟持された液晶と、 前記第1基板の前記第2基板に対向する側に配置された反射電極層と、 前記第2基板の前記第1基板と反対側に設けられた偏光板と、 該偏光板と前記第2基板との間に配置された第1位相差板と、 前記偏光板と前記第1位相差板との間に配置された第2位相差板と を備えており、 前記液晶のツイスト角は、230〜260度であり、 前記液晶のΔnd(光学異方性Δnと層厚dの積)はその最小値が0.85μm以下であり且つその最大値が0.70μm以上であり、 前記第1位相差板のΔndは、150±50nm又は600±50nmであり、 前記第2位相差板のΔndは、550±50nmであり、 前記偏光板の透過軸又は吸収軸と前記第2位相差板の光軸とのなす角度θ1は、15〜35度であり、 前記第1位相差板の光軸と前記第2位相差板の光軸とのなす角度θ2は、60〜80度である反射型液晶装置。
IPC (1件):
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