特許

J-GLOBAL ID：200903006019160100

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

発明者： 大福 幸司 ,  香川 宣明
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-020336
公開番号（公開出願番号）：特開2004-234953
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】下記一般式(1)または(2)で表される化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)または(2)で表される化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2件)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (19件)：

4H056CA02 ,  4H056CC08 ,  4H056CE03 ,  4H056DD19 ,  4H056DD23 ,  4H056DD28 ,  4H056DD29 ,  4H056DD30 ,  4H056FA05 ,  5F051AA14 ,  5F051BA17 ,  5F051GA02 ,  5F051HA03 ,  5F051HA04 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE20