特許

J-GLOBAL ID：200903006032086814

イオン導電体を用いたガスセンサおよびその製造方法

発明者： 高橋 英昭 ,  稲葉 忠司 ,  近藤 春義
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198675
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 イオン導電体層と電極との界面抵抗を低減することにより、低温作動性を向上させ、被測定ガスの濃度範囲を拡大することができ、さらに、信頼安定性並びに耐熱性の良好なイオン導電体を用いたガスセンサおよびその製造方法を提供する。【構成】 イオン導電体を用いたガスセンサは、アルミナ基板10上に薄膜のガス検知部を有する。ガス検知部は、ジルコニアイオン導電体層16と、このイオン導電体層16を介在させて設けられた一対の白金電極14,18と、前記イオン導電体層16と前記電極14,18との間に位置し、これらイオン導電体層および電極を構成する物質が混在した状態で形成された接合層20,22と、を含む。

請求項（抜粋）：

固体イオン導電体層と、この固体イオン導電体層を介在させて設けられた一対の電極と、前記固体イオン導電体層と前記電極との間に位置し、これら固体イオン導電体層および電極を構成する物質が混在した状態で形成された接合層と、を含むことを特徴とするイオン導電体を用いたガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/41 ,  G01N 27/409

FI (2件)：

G01N 27/46 325 J ,  G01N 27/58 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭58-156849
  
• 特開昭57-165758
  
• イオン伝導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-275545   出願人：株式会社フジクラ, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 特開平2-167459