特許

J-GLOBAL ID：200903006033267545

多層セラミック基板の製造方法

発明者： 三浦 和裕 ,  中谷 誠一 ,  祐伯 聖 ,  箱谷 靖彦 ,  中村 嘉文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327218
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 ガラスセラミック基板が焼成時において厚み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板を得ること。【構成】 ガラスセラミック低温焼結基板材料に有機バインダ、可塑剤を含むグリーンシート1を作製し、導体ペースト組成物で電極パターン3を形成し、複数枚数積層する。その後グリーンシート積層体の両面を、ガラスセラミック基板の焼成温度では結晶化が起こらず、ガラスセラミックの結晶化終了温度以上で結晶化が始まり焼結するガラスよりなるグリーンシート2で挟み込むように積層する。そして焼成処理として、有機物を除去する脱バインダを行った後、内層のガラスセラミック組成物の結晶化温度まで昇温、保持し、この内層ガラスセラミック組成物の結晶化が終了した後、さらに両面に積層した前記ガラスの結晶化温度まで昇温、保持を行う。そして結晶化が終了した後に両面の結晶化物を取り除く。

請求項（抜粋）：

導体ペースト組成物で電極パターンを形成した少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むガラス・セラミックよりなるグリーンシートを複数枚数積層したグリーンシート積層体の両面に、前記ガラス・セラミックの結晶化温度では結晶化が起こらず、前記ガラス・セラミックの結晶化終了温度以上で結晶化が始まり焼結するガラス、もしくはガラスとセラミック混合物よりなるグリーンシートを積層した後、焼成処理を行い、前記両面に積層したグリーンシートの焼結を終了させた後にこのガラス・セラミック焼結体を取り除くことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。