特許
J-GLOBAL ID：200903006040390441
電力用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230292
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067661
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 ゲート酸化膜を有する電力用MOSFET11をこれを駆動する駆動回路等の入力側回路(13,14,15)と同一の基板に構成した場合に、入力側回路に対する耐圧以上の電圧印加を可能とし、酸化膜の絶縁性試験を短時間で行う。【構成】 酸化膜をスクリーニングするテストモード時、ゲート電極に通常使用時以上の電圧を前記ゲート電極に印加する手段(14,15)及び入力側回路の動作経路あるいは入力側回路とゲート電極12との接続経路を遮断する手段19を設けた電力用半導体装置。
請求項（抜粋）：
酸化膜上に形成したゲート電極への印加電圧によって動作する電力用半導体素子と、この電力用半導体素子と同一基板上に配設し前記ゲート電極と接続した入力側回路と、前記酸化膜をスクリーニングするテストモード時、前記ゲート電極に通常使用時以上の電圧を前記ゲート電極に印加する手段及び前記入力側回路の動作経路あるいは入力側回路とゲート電極との接続経路を遮断する手段とを、具備したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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