特許

J-GLOBAL ID：200903006042364561

金属酸化物薄膜の製造方法

発明者： 藤野 剛三 ,  奥田 繁 ,  葭田 典之 ,  林 憲器
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-109469
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 多結晶の金属基板を用いた場合でも、単結晶に近い結晶軸の配向性を有する酸化物超電導膜を金属基板上に堆積させることができる方法を提供する。【構成】 イットリア安定化ジルコニア、酸化セリウムまたは酸化マグネシウム等の金属酸化物を構成するための化学種を、レーザアブレーションにより金属基板4の表面に供給する。このとき、金属基板4に電極7aおよび7bを介して直流電流を通電しながら化学種を堆積させ結晶軸が配向した金属酸化物の膜を堆積させる。このようにして得られた金属酸化物の膜上に、酸化物超電導体からなる薄膜を堆積させる。

請求項（抜粋）：

導電性基板の多結晶表面もしくはアモルファス表面または前記導電性基板上に形成された多結晶膜もしくはアモルファス膜上に金属酸化物からなる薄膜を堆積させる方法であって、前記金属酸化物を構成するための化学種を、気相において前記基材表面または前記基材上に形成された膜の方向に供給し、かつ前記導電性基板に直流電流を通電しながら、前記化学種を前記基板表面または前記基板上に形成された膜上に堆積させることを特徴とする、金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/28 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565