特許
J-GLOBAL ID:200903006044828000

誘電体磁器組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-195272
公開番号(公開出願番号):特開平8-064031
出願日: 1994年08月19日
公開日(公表日): 1996年03月08日
要約:
【要約】【目的】 比誘電率εr が大きく、かつ無負荷Qが大きく、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可能であり、Ag、Ag-Pd、Cu等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器組成物を提供するものである。【構成】 主成分が組成式、xBaO-yTiO2 -zNd2 O3 -tSm2O3 -wBi2 O3 (式中、0.1≦x≦0.2、0.5≦y≦0.8、0.01≦z≦0.2、0.01≦t≦0.2、0.005≦w≦0.05、x+y+z+t+w=1である。)で表されるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよび酸素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分としてBiVO4 およびCuOを含有し、主成分に対する副成分BiVO4 の含有量a(重量%)が1≦a≦15であり、CuOの含有量b(重量%)が0.5≦b≦5である誘電体磁器組成物。
請求項(抜粋):
主成分が組成式、xBaO-yTiO2 -zNd2 O3 -tSm2 O3 -wBi2 O3 (式中、0.1≦x≦0.2、0.5≦y≦0.8、0.01≦z≦0.2、0.01≦t≦0.2、0.005≦w≦0.05、x+y+z+t+w=1である。)で表されるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよび酸素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分としてBiVO4 およびCuOを含有し、主成分に対する副成分BiVO4 の含有量a(重量%)が1≦a≦15であり、CuOの含有量b(重量%)が0.5≦b≦5であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
IPC (3件):
H01B 3/12 308 ,  C04B 35/46 ,  H01P 7/10

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