半導体デバイス、半導体基板上にパタ-ン化された導電性層を作成する方法、半導体製造におけるウェハ-基板の処理方法及び処理された製品

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204940
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068267
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】実質的に製造コストを増加させずに、フッ素物質の外方拡散を抑制し、金属剥離の問題を回避する、半導体デバイス中でのIMDとしてのFSGを配置する【解決手段】フッ素化ケイ酸塩ガラス層と、その上の酸窒化ケイ素キャップ層とを備えた基板からなる半導体デバイスにおいて、フッ素化ケイ酸塩ガラス層から流出するフッ素物質を抑制するために十分にならびに反射防止被膜を形成するために十分に、酸窒化ケイ素キャップ層が、フッ素化ケイ酸塩ガラス層に対して被覆する上層の関係で配置されている半導体デバイス

請求項（抜粋）：

フッ素化ケイ酸塩ガラス層と、その上の酸窒化ケイ素キャップ層とを備えた基板からなる半導体デバイスにおいて、フッ素化ケイ酸塩ガラス層から流出するフッ素物質を抑制するために十分にならびに反射防止被膜を形成するために十分に、酸窒化ケイ素キャップ層が、フッ素化ケイ酸塩ガラス層に対して被覆する上層の関係で配置されている半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/318 C , H01L 21/318 M , H01L 21/88 B

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