特許
J-GLOBAL ID：200903006053140665
電力用半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008969
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203370
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 大電力用スイッチング素子として、低損失を実現するためにオフ状態にするのに必要な電圧を低くすることが可能な電力用半導体素子を提供する。【解決手段】 一の主表面の側の第1導電型のソース領域(1)と、ソース電極(11)と、ゲート領域(2)と、ソース領域とゲート領域とに接する第1導電型のチャネル領域(9)と、他の主表面の第1導電型のドレイン領域(3)と、ソース電極に接してチャネル領域に向かって延びる第2導電型の割込み領域(20)とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一の主表面の側に設けられた第1導電型のソース領域と、前記ソース領域の上に該ソース領域と接して設けられたソース電極と、前記一の主表面の側に設けられた第2導電型のゲート領域と、前記ソース領域および前記ゲート領域に接する第1導電型のチャネル領域と、前記半導体基板の他の主表面に設けられた第1導電型のドレイン領域と、前記ソース電極に接して、前記チャネル領域に向かって延びている第2導電型の割込み領域とを備える、電力用半導体素子。
Fターム (8件)：
5F102GB04
, 5F102GC09
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ05
, 5F102HC07
, 5F102HC15
