特許

J-GLOBAL ID：200903006053154542

薄膜ガスセンサ

発明者： 小野寺 克己 ,  津田 孝一 ,  河田 泰之 ,  井上 文宏
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248629
公開番号（公開出願番号）：特開平11-083777
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 ヒータの熱容量を小さくするとともにヒータ自体を小型化することにより電池駆動を可能にする。【解決手段】 金属酸化物薄膜からなるガス検知用の感知膜7を動作温度保持用の膜ヒータ4の上面に電気絶縁層5を介して形成した薄膜ガスセンサにおいて、透孔2を形成した支持用のSi基板1の透孔部上面に熱絶縁層2を積層してその上面にスパッタ法により膜ヒータ4を形成するとともに、膜ヒータ4の材質をNi-Cr系合金、Fe-Cr 系合金、SiC、RuO2、MoSi2、WSi2、TaSi2のうちのいずれかにする。また、膜ヒータ4に、一定間隔でパルス状の電圧を印加する電源装置を接続する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物薄膜からなるガス検知部を動作温度保持用のヒータの上面に電気絶縁層を介して形成した薄膜ガスセンサにおいて、透孔を形成した支持基板の透孔部上面に熱絶縁層を積層してその上面に薄膜によりヒータを形成するとともに、薄膜ヒータの材質をNi-Cr系合金、Fe-Cr 系合金、SiC、RuO2、MoSi2、WSi2、TaSi2のうちのいずれかにしたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。