半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066729
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260379
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上の絶縁層に形成された微小ホールの内部および絶縁層の表面に高融点金属と高融点金属窒化物の積層構造からなるバリアメタル層およびAl合金膜が積層堆積されてなる配線の抵抗の上昇を抑制する。【解決手段】半導体基板10上の絶縁層11に形成された微小ホールの内部および絶縁層の表面に形成され、高融点金属と高融点金属窒化物の積層構造からなるバリアメタル層11と、バリアメタル層上に積層堆積された第1のアルミニウム合金膜14aおよび第2のアルミニウム合金膜14bと、第1のアルミニウム合金膜とバリアメタル層の金属との合金反応により形成されたアルミニウム-バリアメタル合金膜13とを具備し、第1のアルミニウム合金膜中の酸素以外の元素添加物の添加量が第2のアルミニウム合金膜中の酸素以外の元素添加物の添加量よりも少ない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁層に形成された微小ホールの内部および上記絶縁層の表面に形成され、高融点金属および高融点金属窒化物の積層構造からなるバリアメタル層と、前記バリアメタル層上に堆積された第1のアルミニウム合金膜と、前記第1のアルミニウム合金膜上に堆積された第2のアルミニウム合金膜と、前記第1のアルミニウム合金膜と前記バリアメタル層の金属との合金反応により形成されたアルミニウム-バリアメタル合金膜とを具備し、前記第1のアルミニウム合金膜中の酸素以外の元素添加物の添加量が前記第2のアルミニウム合金膜中の酸素以外の元素添加物の添加量よりも少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/203 S , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C , H01L 21/90 A

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