特許
J-GLOBAL ID：200903006057599140
エッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282542
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135200
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 従来に較べてエッチング処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハ等の不所望な汚染を防止することのできるエッチング装置を提供する。【構成】 エッチング処理室1内の下部には、下部電極10が設けられている。下部電極10に載置された半導体ウエハWの周囲を近接して(非接触な状態で)囲む如く、リング状に形成されたリング状部材14が配設されている。このリング状部材14は、シリコン単結晶から構成されている。
請求項（抜粋）：
内部にエッチング処理を施す被処理基板を収容するエッチング処理室と、前記エッチング処理室内に配置され、前記被処理基板が配置される第1の電極と、前記第1の電極と対向する如く配置された第2の電極と、前記第1および第2の電極間に高周波電力を供給する電力供給機構と、前記エッチング処理室内に所定のエッチングガスを導入するためのガス導入機構と、前記エッチング処理室内から排気するための排気機構と、単結晶シリコンからリング状に形成され、前記第1の電極に配置された前記被処理基板の外側に近接して設けられたリング状部材とを具備したことを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
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