特許

J-GLOBAL ID：200903006059066815

PECVD法による誘電体層付着方法

発明者： ドナ・リッゾン・コート ,  ジョン・カート・フォースター ,  ヴァイリンダー・サイ・グレウォル ,  アンソニー・ジョセフ・コネクニ ,  ドラガン・ヴァレンティン・ポドルスニク
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298637
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181064
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】プラズマ強化化学気相成長法によるプロセスに於いて発生するウェーハに対する損傷と当該ウェーハの歩留まりの低下を防止する。【解決手段】PECVDプロセスに於いて、プラズマ電位を制御して均一な水準に保持し、これによって形成されたプラズマを電極間のギャップ領域に閉じ込め、これに対する放電チャンバの壁部の影響を回避する。システムを約12Torr超の高圧で動作させ、好ましくは約10Vを超える正の電位を発生する迄上部即ち駆動電極のDCバイアスをモニタすることによってこのシステムの動作を監視することにより、プラズマ電位を制御する。この時点で均整のとれたグロー放電と制御されたプラズマが被駆動電極とサスセプタ電極の間に存在し、これらは圧力を約14〜20Torrに保持することによって制御可能である。

請求項（抜粋）：

プラズマ強化化学気相(PECVD)法によって半導体の表面に誘電体層を付着するプロセスにおいて、PECVD装置の反応チャンバ内に、被駆動電極及び該被駆動電極から狭い放電ギャップだけ間隔を有するサセプタ電極を、前記反応チャンバの壁部から離隔して設置し、上記サセプタ電極の表面に半導体を載置するステップと、上記サセプタ電極上の上記半導体の表面上に誘電体層として付着することのできる混合ガスを上記チャンバに導入するステップと、上記反応チャンバを12Torr以上の圧力に調圧するステップと、上記被駆動電極にRF電力を印加して、上記電極間にRFプラズマ電位を発生させると共に上記被駆動電極に負のDCバイアスを発生させ、上記ギャップ内に上記ガスの化学気相プラズマ・グロー放電を形成し、それによって、上記半導体の表面上で反応が生じ、上記誘電体層が付着するステップと、上記DCバイアスが正の電位に浮遊し、これによって上記プラズマ・グロー放電の均整がとれ、且つこれが均一になり、上記電極間のギャップ内に閉じ込められて上記チャンバの壁部と相互作用を行わなくなるように上記被駆動電極のDCバイアスをモニタしながら上記RF電力及び/または上記圧力を調整するステップと、を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X