特許

J-GLOBAL ID：200903006060833153

アッシング方法

発明者： 北川 英夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361253
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176859
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。【解決手段】 被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。窒素ガスと酸素ガスの混合比は、窒素中への酸素の添加量が0%より多く、10%以下とする。被処理体の温度は、室温以下とする。

請求項（抜粋）：

被処理体の有機絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングすることを特徴とするアッシング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/90 S

Fターム (39件)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096LA08 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB26 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR21 ,  5F033RR26 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24 ,  5F046MA12