特許

J-GLOBAL ID：200903006061359919

半導体装置

発明者： 物集 照夫 ,  田中 靖夫 ,  望月 和浩 ,  蕨迫 光紀 ,  内田 陽子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127114
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326996
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高い光電変換効率が得られる化合物半導体太陽電池を提供する。【構成】 高不純物濃度のp形半導体基板1、高不純物濃度のp形半導体キャリアブロック層3、p形半導体ベース層4、n形半導体エミッタ層5、n形半導体窓層6、高不純物濃度のn形半導体コンタクト層7、反射防止膜、並びに表面裏面電極より構成される化合物半導体太陽電池。【効果】 エミッタ層の膜厚を薄くすることにより、ホトキャリアを主としてp形ベース層で発生させることにより、ホトキャリアの有効活用が可能となるため、良好な特性を持つ素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板、キャリアブロック層、ベース層、エミッタ層、窓層、コンタクト層、反射防止コート層および表面・裏面電極で構成される化合物半導体太陽電池において、p形半導体をベ-ス層とし、n形半導体をエミッタ層とし、エミッタ層のドーピング濃度が1×1016〜5×1019cm-3、膜厚が0.01〜0.2μmでることを特徴とする太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-075677
  
• 特開昭56-080178
  
• 特開昭63-261882
  
• 特開昭63-038267