特許

J-GLOBAL ID：200903006062154091

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山本 薫 ,  伊藤 伸彦 ,  山内 祥光
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179840
公開番号（公開出願番号）：特開2001-357687
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 温度変化,トランジスタ特性のばらつきがあったときに、十分なセンス時間マージンを取らなくても、読み出し精度を十分に確保できる不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 この不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリMC00〜MC12の閾値が高い状態0の閾値分布の下限と閾値の低い状態1の閾値分布の上限との間の値に予め閾値を設定されたリファレンスセル2を備える。リファレンスセル2は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルMC00〜MC12の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。読み出し動作におけるセンスアンプ部8の動作タイミングを制御回路によって発生していて、その動作タイミングの内のセンス動作終了のタイミングを、リファレンスセル2のセンスが終了することによって、タイミング制御手段(ディレイ回路delay,AND回路AN0,AN1)で決める。

請求項（抜粋）：

複数のワード線およびビット線と、上記複数のワード線のうちの1本が制御ゲートに接続され、上記複数のビット線のうちの1本がドレインに接続される不揮発性メモリをアレイ状に配置したメモリセルアレイと、上記ビット線に読み出されたデータを増幅するセンスアンプと、上記ビット線を任意の電圧にプリチャージするプリチャージ回路と、上記不揮発性メモリの閾値が高い状態の閾値分布の下限と閾値の低い状態の閾値分布の上限との間の値に予め閾値を設定されたリファレンスセルとを有し、上記ビット線を上記プリチャージ回路によって任意の電圧にプリチャージし、選択された上記ワード線に任意の読み出し電圧を印加して、上記ビット線が選択された上記不揮発性メモリセルによってディスチャージされるか否かを上記センスアンプによって判定することにより、データの読み出しを行なう不揮発性半導体記憶装置であって、上記リファレンスセルを、上記選択された不揮発性メモリセルと同時にセンスし、上記リファレンスセルのビット線のディスチャージが完了したタイミングを上記リファレンスセルに連なる上記センスアンプで検出し、この検出した完了タイミングに基き、上記メモリセルアレイに連なる上記センスアンプのセンス動作の終了タイミングを制御するタイミング制御手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 624

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD07 ,  5B025AD11 ,  5B025AD15 ,  5B025AE08