特許
J-GLOBAL ID：200903006063889389
低抵抗線状パターンの形成方法及び形成装置並びに太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235388
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 線幅が100μm以下で、且つ、比抵抗が10-6Ωcmオーダーの低抵抗微細線状パターンを簡単な工程で得ることができる線状パターンの形成方法及び形成装置、並びに、有効発電面積が増大し、且つ、電極の低抵抗化が図られた太陽電池を得る。【構成】 インジウム1の溶融物を所定温度に保温されたタンク2内に収容し、該溶融インジウム1を該タンク2から毛細管現象によってその先端部の弧状の部分が被基板4表面に接触する円筒状描画ヘッド3の先端部に供給し、溶融したインジウム1の表面張力,被基板4とのぬれ性を考慮して、該描画ヘッド3を所定速度で移動することにより、該溶融したインジウム1を上記被基板4上に線幅100μm以下の線状に供給する。
請求項（抜粋）：
被基板上に線幅が100μm以下で、且つ、比抵抗が10-6Ω・cmオーダーにある線状パターンを形成する低抵抗線状パターンの形成方法であって、低融点金属を溶融状態に保持し、毛細管現象により該溶融液をその先端が被形成基板に対して接触する描画ヘッドの先端に供給し、該被基板表面に接触する描画ヘッドの先端部の移動により上記被基板上に上記溶融状態の低融点金属を線幅100μm以下の線状に塗布し、この線状の溶融金属パターンを放置して冷却,固化することを特徴とする低抵抗線状パターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01B 13/00 503
, H05K 3/10
