特許
J-GLOBAL ID：200903006064220849
熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196491
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【構成】 ランプ104でウェーハWに高エネルギで光を当て、このウェーハW内にキャリアを発生させる。その後、管105,106のバルブを開けて処理室内に還元性ガスとして例えばH2 もしくはH2 とO族不活性ガスとArとの混合ガスを流し、その状態でコイル103に高周波電流を流し、SiウェーハWを誘導加熱する。すると、SiウェーハWの表面から酸素の外方拡散が促進され、SiウェーハWの最表面における酸素濃度は極端に少なく、かつ、SiウェーハW内部では析出に必要な酸素濃度が得られたデバイス製造歩留りの高い、高品質なSiウェーハが得られるようになる。【効果】 極めて高清浄なSiウェーハの熱処理が可能となる。
請求項（抜粋）：
処理室を画成するケーシングと、Siウェーハを保持した状態で前記処理室内に配されるウェーハ保持体と、前記ケーシングを透過する熱とは異なる形態で前記Siウェーハを加熱するための加熱エネルギを前記処理室内へ導入するウェーハ加熱装置とを備えている熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H01L 21/223
, H01L 21/26
