特許
J-GLOBAL ID：200903006070642879
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084960
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 高性能化合物半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【構成】 半絶縁性InP基板11上に、バッファ層12、ノンドープチャネル層、n型不純物がドープされた電子供給層15がこの順で積層された電界効果トランジスタであって、ノンドープチャネル層が第1のInP層13aとInGaAs層13bと第2のInP層13cから成る。【効果】 InP基板上に形成されたヘテロ接合による2次元電子ガスFETにおいてチャネル電子濃度の向上が図られ、かつチャネル走行電子の有効質量の低減並びに実効ドリフト速度の向上が得られる。これはデバイスに於ける高周波動作の向上に反映し、遮断周波数、雑音特性、高出力特性等のデバイス特性の向上を実現する。更に高電界動作の際にデバイス特性の向上が期待できる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性InP基板上に、バッファ層、ノンドープチャネル層、n型不純物がドープされた電子供給層がこの順で積層された電界効果トランジスタに於いて、前記ノンドープチャネル層は、InP層、In<SB>X </SB>Ga<SB>1 - X </SB>As層、InP層の3層がこの順で前記バッファ層から前記電子供給層にむかう方向に積層された構造であると共に、0.4<x≦1を充たすことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/205
, H01L 29/48
