特許
J-GLOBAL ID：200903006089748392
静電吸着装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066271
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜からのアルカリ金属または重金属などの不純物による基板の汚染防止が可能な、半導体素子の特性を大きく劣化させることのない、半導体プロセスを円滑に進めることのできる、半導体素子用の半導体薄膜の堆積装置に用いる静電吸着装置を提供する。【構成】 第1の電極上に絶縁物を介して導電性物質または半導体物質を有する基体を設置し、第1の電極と基体間に電圧を印加し、静電吸着力により基体を第1の電極上に保持する静電吸着装置の絶縁物上に、基板と同材料の薄膜または基板原子を含む化合物の薄膜を汚染防止層として配設することにより、目的とする静電吸着装置が提供される。
請求項（抜粋）：
第1の電極上に絶縁物を介して導電性物質もしくは半導体物質を有する基体を設置し、前記第1の電極と基体間に電圧を印加し、該基体を第1の電極上に静電吸着力により保持する静電吸着装置において、該静電吸着装置の絶縁物上に基板と同材料の薄膜あるいは基板原子を含む化合物の薄膜を有することを特徴とする静電吸着装置。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H02N 13/00
