特許
J-GLOBAL ID：200903006098702036
アリールカーボネートの連続製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017529
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：
【要約】【課題】 炭酸アリールの連続製造法。【解決手段】 芳香族エステル基を持つカーボネートの連続製造は、芳香族ヒドロキシ化合物の、不均一系触媒の存在下におけるホスゲンとの反応により、但し依然存在するホスゲンを排ガスの更なる反応器への返送で排ガス流から除去することで行われる。
請求項（抜粋）：
ホスゲンを不均一系触媒の存在下に芳香族ヒドロキシ化合物と反応させてジアリールカーボネート連続的に製造する際に、1)芳香族ヒドロキシ化合物及び随時そのクロロギ酸エステルの混合物をホスゲンと一緒に不均一系触媒の充填した反応器に通し、そこで反応熱をエダクトと生成物の蒸発により消散させ且つかくして反応温度を反応混合物の流入温度より高々50°C上昇させ、2)反応器を出る生成物を脱気し、排ガスを、随時あるクロロギ酸エステルを含む芳香族ヒドロキシ化合物の溶融流と一緒に不均一系触媒の充填した更なる排ガス反応器へ通してホスゲンと随時クロロギ酸エステルが排ガス流から除去されるように反応させ、3)反応器から除去され且つ脱気した反応生成物を直接処理工程に送り、或いは第二の反応器へ供給し、そこで残存するクロロギ酸エステルを、依然存在する又は導入された芳香族ヒドロキシ化合物と共に不均一系触媒上で更に反応させてジアリールカーボネートを生成させ、4)第二の反応器を出る生成物を、溶融した芳香族ヒドロキシ化合物と共に2)で言及した排ガス反応器へ送り、5)第二の反応器からの脱気した生成物を、蒸留塔へ供給し、芳香族ヒドロキシ化合物及び依然存在するかもしれない痕跡量のクロロギ酸エステルを塔頂から留去して、再び排ガス反応器へ又は第一の反応器へ導入し、6)第一塔の塔底物を第二の蒸留塔へ通し、依然存在するかもしれない痕跡量の低沸点成分をジアリールカーボネートから塔頂において除去し、そして第一塔の上部部分へ再導入し、7)高沸点の成分を含んでいるかもしれないジアリールカーボネートを第二塔の気相空間から除去し、8)この生成物を第三塔へ通し、残存量の高沸点成分を塔底物として分離することにより純粋なジフェニルカーボネートを塔頂精製物として得、9)第二及び第三塔の一緒にした塔底物を第四の蒸留装置に通し、ジアリールカーボネートを塔頂から留去し、第二塔へ返送し、そして高沸点成分を第四の蒸留装置の底部から除去する、該ジアリールカーボネートの連続式製造法。
IPC (4件)：
C07C 69/96
, C07C 67/54
, C07C 68/02
, C07B 61/00 300
C07C 69/96 Z
, C07C 67/54
, C07C 68/02 A
, C07B 61/00 300
